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Microchip Technology - DN3535N8-G

DN3535N8-G
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Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
Verfügbare Menge
7,000 Auf Lager
Datenblatt:
DN3535N8-G.pdf
Produkt-Fotos
DN3535N8-G
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
-
Vgs (Max):
±20V
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
TO-243AA (SOT-89)
Serie:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10 Ohm @ 150mA, 0V
Verlustleistung (max):
1.6W (Ta)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:
TO-243AA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:
Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
350V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
230mA (Tj)

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