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Micrium - DN3525N8-G

DN3525N8-G
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Hersteller
Micrium
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
Verfügbare Menge
5,000 Auf Lager
Datenblatt:
DN3525N8-G.pdf
Produkt-Fotos
DN3525N8-G
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
-
Vgs (Max):
±20V
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
TO-243AA (SOT-89)
Serie:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6 Ohm @ 200mA, 0V
Verlustleistung (max):
1.6W (Ta)
Verpackung:
Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:
TO-243AA
Andere Namen:
DN3525N8-GCT
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:
8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
350pF @ 25V
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):
0V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
250V
detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
360mA (Tj)

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