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Microsemi - APTGT600U170D4G

APTGT600U170D4G
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Hersteller
Microsemi
Beschreibung
IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
Verfügbare Menge
6,406 Auf Lager
Datenblatt:
1.APTGT600U170D4G.pdf2.APTGT600U170D4G.pdf
Produkt-Fotos
APTGT600U170D4G
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):
1700V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 600A
Supplier Device-Gehäuse:
D4
Serie:
-
Leistung - max:
2900W
Verpackung / Gehäuse:
D4
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor:
No
Befestigungsart:
Chassis Mount
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:
51nF @ 25V
Eingang:
Standard
IGBT-Typ:
Trench Field Stop
Strom - Collector Cutoff (Max):
1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max):
1100A
Konfiguration:
Single

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Referenzpreis (in US-Dollar)
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