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NVE Corporation - PSMN3R7-30YLC,115

PSMN3R7-30YLC,115
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Hersteller
NVE Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Verfügbare Menge
5,000 Auf Lager
Datenblatt:
PSMN3R7-30YLC,115.pdf
Produkt-Fotos
PSMN3R7-30YLC,115
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
1.95V @ 1mA
Vgs (Max):
±20V
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
LFPAK56, Power-SO8
Serie:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.95 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):
79W (Tc)
Verpackung:
Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen:
568-6735-6
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1848pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
29nC @ 10V
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30V 100A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
100A (Tc)

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In Stock 5000 pcs
Menge:
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