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Nexperia USA Inc. - BUK9Y153-100E,115

BUK9Y153-100E,115
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Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
Verfügbare Menge
6,263 Auf Lager
Datenblatt:
BUK9Y153-100E,115.pdf
Produkt-Fotos
BUK9Y153-100E,115
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Vgs (Max):
±10V
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
LFPAK56, Power-SO8
Serie:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
146 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):
37W (Tc)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:
SC-100, SOT-669
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:
Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
716pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.8nC @ 5V
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
9.4A (Tc)

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