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Nexperia - PSMN3R5-80ES,127

PSMN3R5-80ES,127
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Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Verfügbare Menge
10,000 Auf Lager
Datenblatt:
PSMN3R5-80ES,127.pdf
Produkt-Fotos
PSMN3R5-80ES,127
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
I2PAK
Serie:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.5 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max):
338W (Tc)
Verpackung:
Tube
Verpackung / Gehäuse:
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:
Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
9800pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
139nC @ 10V
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
80V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
120A (Tc)

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