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Renesas Electronics America - HAT2287WP-EL-E

HAT2287WP-EL-E
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Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH WPAK
Verfügbare Menge
7,500 Auf Lager
Datenblatt:
HAT2287WP-EL-E.pdf
Produkt-Fotos
HAT2287WP-EL-E
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
-
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
8-WPAK
Serie:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
94 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max):
30W (Tc)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:
8-PowerWDFN
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Befestigungsart:
Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26nC @ 10V
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
200V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
17A (Ta)

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