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STMicroelectronics - STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG
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Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
Verfügbare Menge
6,753 Auf Lager
Datenblatt:
STH410N4F7-6AG.pdf
Produkt-Fotos
STH410N4F7-6AG
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
VGS (th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Vgs (Max):
±20V
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:
H2PAK-6
Serie:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.1 mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (max):
365W (Tc)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:
Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
11500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
141nC @ 10V
Typ FET:
N-Channel
FET-Merkmal:
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:
200A (Tc)

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