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Infineon Technologies - BSD316SNL6327XT

BSD316SNL6327XT
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Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
cantidad disponible
En Stock 8,000
Ficha de datos:
BSD316SNL6327XT.pdf
Fotos del producto
BSD316SNL6327XT
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
2V @ 3.7µA
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
PG-SOT363-6
Serie:
OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:
160 mOhm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):
500mW (Ta)
embalaje:
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
94pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
0.6nC @ 5V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
1.4A (Ta)

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