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International Rectifier (Infineon Technologies) - IPP80N04S303AKSA1

IPP80N04S303AKSA1
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Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
cantidad disponible
En Stock 6,214
Ficha de datos:
IPP80N04S303AKSA1.pdf
Fotos del producto
IPP80N04S303AKSA1
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
4V @ 120µA
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
PG-TO220-3-1
Serie:
OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:
3.5 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):
188W (Tc)
embalaje:
Tube
Paquete / Cubierta:
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:
Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
7300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
110nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
80A (Tc)

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In Stock 6214 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)
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