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International Rectifier (Infineon Technologies) - IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF
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Fabricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
cantidad disponible
En Stock 6,425
Ficha de datos:
IRF8513TRPBF.pdf
Fotos del producto
IRF8513TRPBF
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
2.35V @ 25µA
Paquete del dispositivo:
8-SO
Serie:
HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Potencia - Max:
1.5W, 2.4W
embalaje:
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
766pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
8.6nC @ 4.5V
Tipo FET:
2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:
Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
8A, 11A

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In Stock 6425 pcs
Cantidad:
Target price
Total:$0.00

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