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Microchip Technology - DN3535N8-G

DN3535N8-G
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Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
cantidad disponible
En Stock 7,000
Ficha de datos:
DN3535N8-G.pdf
Fotos del producto
DN3535N8-G
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
-
Vgs (Max):
±20V
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
TO-243AA (SOT-89)
Serie:
-
RDS (Max) @Id, Vgs:
10 Ohm @ 150mA, 0V
La disipación de energía (máximo):
1.6W (Ta)
embalaje:
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:
TO-243AA
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
360pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
-
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):
-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
350V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
230mA (Tj)

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In Stock 7000 pcs
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