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Micrium - DN3525N8-G

DN3525N8-G
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Fabricante
Micrium
Descripción
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
cantidad disponible
En Stock 5,000
Ficha de datos:
DN3525N8-G.pdf
Fotos del producto
DN3525N8-G
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
-
Vgs (Max):
±20V
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
TO-243AA (SOT-89)
Serie:
-
RDS (Max) @Id, Vgs:
6 Ohm @ 200mA, 0V
La disipación de energía (máximo):
1.6W (Ta)
embalaje:
Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:
TO-243AA
Otros nombres:
DN3525N8-GCT
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):
1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:
8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:
Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
350pF @ 25V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):
0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
250V
Descripción detallada:
N-Channel 250V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
360mA (Tj)

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