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NVE Corporation - PSMN3R7-30YLC,115

PSMN3R7-30YLC,115
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Fabricante
NVE Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
cantidad disponible
En Stock 5,000
Ficha de datos:
PSMN3R7-30YLC,115.pdf
Fotos del producto
PSMN3R7-30YLC,115
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
1.95V @ 1mA
Vgs (Max):
±20V
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
LFPAK56, Power-SO8
Serie:
-
RDS (Max) @Id, Vgs:
3.95 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):
79W (Tc)
embalaje:
Original-Reel®
Paquete / Cubierta:
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres:
568-6735-6
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):
1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:
Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1848pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
29nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
30V
Descripción detallada:
N-Channel 30V 100A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
100A (Tc)

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In Stock 5000 pcs
Cantidad:
Target price
Total:$0.00

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