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Nexperia USA Inc. - BUK9Y153-100E,115

BUK9Y153-100E,115
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Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
cantidad disponible
En Stock 6,263
Ficha de datos:
BUK9Y153-100E,115.pdf
Fotos del producto
BUK9Y153-100E,115
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
2.1V @ 1mA
Vgs (Max):
±10V
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
LFPAK56, Power-SO8
Serie:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:
146 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):
37W (Tc)
embalaje:
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:
SC-100, SOT-669
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
716pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
6.8nC @ 5V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
9.4A (Tc)

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In Stock 6263 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)
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