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Renesas Electronics America - HAT2287WP-EL-E

HAT2287WP-EL-E
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Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH WPAK
cantidad disponible
En Stock 7,500
Ficha de datos:
HAT2287WP-EL-E.pdf
Fotos del producto
HAT2287WP-EL-E
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
-
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
8-WPAK
Serie:
-
RDS (Max) @Id, Vgs:
94 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):
30W (Tc)
embalaje:
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:
8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
26nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
200V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
17A (Ta)

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In Stock 7500 pcs
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