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STMicroelectronics - STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG
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Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
cantidad disponible
En Stock 6,753
Ficha de datos:
STH410N4F7-6AG.pdf
Fotos del producto
STH410N4F7-6AG
Categoría
Productos Semiconductores Discretos
VGS (th) (Max) @Id:
4.5V @ 250µA
Vgs (Max):
±20V
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:
H2PAK-6
Serie:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
RDS (Max) @Id, Vgs:
1.1 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo):
365W (Tc)
embalaje:
Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:
Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
11500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:
141nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica de FET:
-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:
40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:
200A (Tc)

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In Stock 6753 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)
1753:
$1.089
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Cantidad:
Precio unitario: $1.089
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