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Nexperia USA Inc. - BUK9Y153-100E,115

BUK9Y153-100E,115
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Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
Quantité disponible
6,263 En Stock
Fiche technique:
BUK9Y153-100E,115.pdf
Photos de produits
BUK9Y153-100E,115
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Vgs (th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Vgs (Max):
±10V
La technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:
LFPAK56, Power-SO8
Séries:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
146 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):
37W (Tc)
Emballage:
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:
SC-100, SOT-669
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:
Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
716pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:
6.8nC @ 5V
type de FET:
N-Channel
Fonction FET:
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):
5V
Tension drain-source (Vdss):
100V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:
9.4A (Tc)

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Référence Prix (En dollars américains)
1263:
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1500:
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