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Nexperia - PSMN3R5-80ES,127

PSMN3R5-80ES,127
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Fabricant
Nexperia
La description
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Quantité disponible
10,000 En Stock
Fiche technique:
PSMN3R5-80ES,127.pdf
Photos de produits
PSMN3R5-80ES,127
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Vgs (th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
La technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:
I2PAK
Séries:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):
338W (Tc)
Emballage:
Tube
Package / Boîte:
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:
Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
9800pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:
139nC @ 10V
type de FET:
N-Channel
Fonction FET:
-
Tension drain-source (Vdss):
80V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:
120A (Tc)

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In Stock 10000 pcs
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