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Renesas Electronics America - HAT2266H-EL-E

HAT2266H-EL-E
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Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
Quantité disponible
7,500 En Stock
Fiche technique:
HAT2266H-EL-E.pdf
Photos de produits
HAT2266H-EL-E
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Vgs (th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
La technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:
LFPAK
Séries:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max):
23W (Tc)
Emballage:
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:
SC-100, SOT-669
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Type de montage:
Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
3600pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:
25nC @ 4.5V
type de FET:
N-Channel
Fonction FET:
-
Tension drain-source (Vdss):
60V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:
30A (Ta)

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In Stock 7500 pcs
Référence Prix (En dollars américains)
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