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Infineon Technologies - BSD316SNL6327XT

BSD316SNL6327XT
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fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
quantità disponibile
In 8,000 della
Scheda dati:
BSD316SNL6327XT.pdf
Foto prodotti
BSD316SNL6327XT
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
2V @ 3.7µA
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
PG-SOT363-6
Serie:
OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:
160 mOhm @ 1.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):
500mW (Ta)
imballaggio:
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
94pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
0.6nC @ 5V
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
-
Tensione drain-source (Vdss):
30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
1.4A (Ta)

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