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International Rectifier (Infineon Technologies) - IPP80N04S303AKSA1

IPP80N04S303AKSA1
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fabbricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
quantità disponibile
In 6,214 della
Scheda dati:
IPP80N04S303AKSA1.pdf
Foto prodotti
IPP80N04S303AKSA1
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
4V @ 120µA
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
PG-TO220-3-1
Serie:
OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:
3.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):
188W (Tc)
imballaggio:
Tube
Contenitore / involucro:
TO-220-3
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:
Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
7300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
110nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
-
Tensione drain-source (Vdss):
40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
80A (Tc)

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