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International Rectifier (Infineon Technologies) - IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF
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fabbricante
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
quantità disponibile
In 6,425 della
Scheda dati:
IRF8513TRPBF.pdf
Foto prodotti
IRF8513TRPBF
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
2.35V @ 25µA
Contenitore dispositivo fornitore:
8-SO
Serie:
HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Potenza - Max:
1.5W, 2.4W
imballaggio:
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
766pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
8.6nC @ 4.5V
Tipo FET:
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:
Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):
30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
8A, 11A

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In Stock 6425 pcs
Quantità:
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