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Microchip Technology - DN3535N8-G

DN3535N8-G
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fabbricante
Microchip Technology
Descrizione
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
quantità disponibile
In 7,000 della
Scheda dati:
DN3535N8-G.pdf
Foto prodotti
DN3535N8-G
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
-
Vgs (Max):
±20V
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
TO-243AA (SOT-89)
Serie:
-
Rds On (max) a Id, Vgs:
10 Ohm @ 150mA, 0V
Dissipazione di potenza (max):
1.6W (Ta)
imballaggio:
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:
TO-243AA
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):
-
Tensione drain-source (Vdss):
350V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
230mA (Tj)

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