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Micrium - DN3525N8-G

DN3525N8-G
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fabbricante
Micrium
Descrizione
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
quantità disponibile
In 5,000 della
Scheda dati:
DN3525N8-G.pdf
Foto prodotti
DN3525N8-G
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
-
Vgs (Max):
±20V
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
TO-243AA (SOT-89)
Serie:
-
Rds On (max) a Id, Vgs:
6 Ohm @ 200mA, 0V
Dissipazione di potenza (max):
1.6W (Ta)
imballaggio:
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:
TO-243AA
Altri nomi:
DN3525N8-GCT
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:
8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
350pF @ 25V
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):
0V
Tensione drain-source (Vdss):
250V
Descrizione dettagliata:
N-Channel 250V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
360mA (Tj)

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