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NVE Corporation - PSMN3R7-30YLC,115

PSMN3R7-30YLC,115
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fabbricante
NVE Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
quantità disponibile
In 5,000 della
Scheda dati:
PSMN3R7-30YLC,115.pdf
Foto prodotti
PSMN3R7-30YLC,115
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
1.95V @ 1mA
Vgs (Max):
±20V
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
LFPAK56, Power-SO8
Serie:
-
Rds On (max) a Id, Vgs:
3.95 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):
79W (Tc)
imballaggio:
Original-Reel®
Contenitore / involucro:
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Altri nomi:
568-6735-6
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1848pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
29nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):
30V
Descrizione dettagliata:
N-Channel 30V 100A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
100A (Tc)

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Quantità:
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Componenti PSMN3R7-30YLC,115Distributore PSMN3R7-30YLC,115Azionamento del circuito integrato PSMN3R7-30YLC,115