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Renesas Electronics America - HAT2266H-EL-E

HAT2266H-EL-E
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fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
quantità disponibile
In 7,500 della
Scheda dati:
HAT2266H-EL-E.pdf
Foto prodotti
HAT2266H-EL-E
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
2.5V @ 1mA
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
LFPAK
Serie:
-
Rds On (max) a Id, Vgs:
12 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):
23W (Tc)
imballaggio:
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:
SC-100, SOT-669
temperatura di esercizio:
150°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
3600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
25nC @ 4.5V
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
-
Tensione drain-source (Vdss):
60V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
30A (Ta)

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