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STMicroelectronics - STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG
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fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
quantità disponibile
In 6,753 della
Scheda dati:
STH410N4F7-6AG.pdf
Foto prodotti
STH410N4F7-6AG
Categoria
Prodotti a semiconduttore discreti
Vgs (th) (max) a Id:
4.5V @ 250µA
Vgs (Max):
±20V
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:
H2PAK-6
Serie:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs:
1.1 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):
365W (Tc)
imballaggio:
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
temperatura di esercizio:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:
Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
11500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:
141nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Caratteristica FET:
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Tensione drain-source (Vdss):
40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:
200A (Tc)

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