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Diodes Incorporated - DMP2021UFDF-7

DMP2021UFDF-7
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제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
가능 수량
6,837에서 주식
데이터 시트:
DMP2021UFDF-7.pdf
제품 사진
DMP2021UFDF-7
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
1V @ 250µA
Vgs (최대):
±8V
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
U-DFN2020-6
연속:
-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
16 mOhm @ 7A, 4.5V
전력 소비 (최대):
730mW (Ta)
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
6-UDFN Exposed Pad
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
2760pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
59nC @ 8V
FET 유형:
P-Channel
FET 특징:
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):
1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
9A (Ta)

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In Stock 6837 pcs
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