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IXYS Corporation - MMIX4G20N250

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제조사
IXYS Corporation
기술
MOSFET N-CH
가능 수량
6,416에서 주식
데이터 시트:
MMIX4G20N250.pdf
제품 사진
no picture
범주
이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):
2500V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):
3.1V @ 15V, 20A
제조업체 장치 패키지:
SMPD
연속:
-
전력 - 최대:
100W
패키지 / 케이스:
24-SMD Module, 9 Leads
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC 써미스터:
No
실장 형:
Surface Mount
입력:
Standard
IGBT 유형:
-
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):
10µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):
23A
구성:
Full Bridge

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