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Infineon Technologies - BSD316SNL6327XT

BSD316SNL6327XT
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제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
가능 수량
8,000에서 주식
데이터 시트:
BSD316SNL6327XT.pdf
제품 사진
BSD316SNL6327XT
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
2V @ 3.7µA
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
PG-SOT363-6
연속:
OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
160 mOhm @ 1.4A, 10V
전력 소비 (최대):
500mW (Ta)
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
94pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
0.6nC @ 5V
FET 유형:
N-Channel
FET 특징:
-
소스 전압에 드레인 (Vdss):
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
1.4A (Ta)

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