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International Rectifier (Infineon Technologies) - IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF
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제조사
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
가능 수량
6,425에서 주식
데이터 시트:
IRF8513TRPBF.pdf
제품 사진
IRF8513TRPBF
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
2.35V @ 25µA
제조업체 장치 패키지:
8-SO
연속:
HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
15.5 mOhm @ 8A, 10V
전력 - 최대:
1.5W, 2.4W
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
766pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
8.6nC @ 4.5V
FET 유형:
2 N-Channel (Dual)
FET 특징:
Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
8A, 11A

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In Stock 6425 pcs
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