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Microchip Technology - DN3535N8-G

DN3535N8-G
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제조사
Microchip Technology
기술
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
가능 수량
7,000에서 주식
데이터 시트:
DN3535N8-G.pdf
제품 사진
DN3535N8-G
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
-
Vgs (최대):
±20V
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
TO-243AA (SOT-89)
연속:
-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
10 Ohm @ 150mA, 0V
전력 소비 (최대):
1.6W (Ta)
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
TO-243AA
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
360pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
-
FET 유형:
N-Channel
FET 특징:
Depletion Mode
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):
-
소스 전압에 드레인 (Vdss):
350V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
230mA (Tj)

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In Stock 7000 pcs
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