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Microsemi Corporation - APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4
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제조사
Microsemi Corporation
기술
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
가능 수량
6,016에서 주식
데이터 시트:
APT100GN120JDQ4.pdf
제품 사진
APT100GN120JDQ4
범주
이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):
1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):
2.1V @ 15V, 100A
제조업체 장치 패키지:
ISOTOP®
연속:
-
전력 - 최대:
446W
패키지 / 케이스:
SOT-227-4, miniBLOC
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC 써미스터:
No
실장 형:
Chassis Mount
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가:
6.5nF @ 25V
입력:
Standard
IGBT 유형:
Trench Field Stop
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):
200µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):
153A
구성:
Single

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