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Microsemi - APTGF300A120D3G

APTGF300A120D3G
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제조사
Microsemi
기술
IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3
가능 수량
6,582에서 주식
데이터 시트:
1.APTGF300A120D3G.pdf2.APTGF300A120D3G.pdf
제품 사진
APTGF300A120D3G
범주
이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):
1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):
3.7V @ 15V, 300A
제조업체 장치 패키지:
D3
연속:
-
전력 - 최대:
2100W
패키지 / 케이스:
D-3 Module
작동 온도:
-
NTC 써미스터:
No
실장 형:
Chassis Mount
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가:
19nF @ 25V
입력:
Standard
IGBT 유형:
NPT
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):
5mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):
420A
구성:
Half Bridge

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In Stock 6582 pcs
수량:
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