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Microsemi - APTGT600U170D4G

APTGT600U170D4G
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제조사
Microsemi
기술
IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
가능 수량
6,406에서 주식
데이터 시트:
1.APTGT600U170D4G.pdf2.APTGT600U170D4G.pdf
제품 사진
APTGT600U170D4G
범주
이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):
1700V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):
2.4V @ 15V, 600A
제조업체 장치 패키지:
D4
연속:
-
전력 - 최대:
2900W
패키지 / 케이스:
D4
작동 온도:
-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC 써미스터:
No
실장 형:
Chassis Mount
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가:
51nF @ 25V
입력:
Standard
IGBT 유형:
Trench Field Stop
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):
1mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):
1100A
구성:
Single

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