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Nexperia USA Inc. - BUK9Y153-100E,115

BUK9Y153-100E,115
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제조사
Nexperia USA Inc.
기술
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
가능 수량
6,263에서 주식
데이터 시트:
BUK9Y153-100E,115.pdf
제품 사진
BUK9Y153-100E,115
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
2.1V @ 1mA
Vgs (최대):
±10V
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
LFPAK56, Power-SO8
연속:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
146 mOhm @ 2A, 10V
전력 소비 (최대):
37W (Tc)
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
SC-100, SOT-669
작동 온도:
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
716pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
6.8nC @ 5V
FET 유형:
N-Channel
FET 특징:
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):
5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
9.4A (Tc)

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