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Nexperia - PSMN3R5-80ES,127

PSMN3R5-80ES,127
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제조사
Nexperia
기술
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
가능 수량
10,000에서 주식
데이터 시트:
PSMN3R5-80ES,127.pdf
제품 사진
PSMN3R5-80ES,127
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
4V @ 1mA
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
I2PAK
연속:
-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
3.5 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):
338W (Tc)
포장:
Tube
패키지 / 케이스:
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
작동 온도:
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:
Through Hole
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
9800pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
139nC @ 10V
FET 유형:
N-Channel
FET 특징:
-
소스 전압에 드레인 (Vdss):
80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
120A (Tc)

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