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Renesas Electronics America - HAT2266H-EL-E

HAT2266H-EL-E
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제조사
Renesas Electronics America
기술
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
가능 수량
7,500에서 주식
데이터 시트:
HAT2266H-EL-E.pdf
제품 사진
HAT2266H-EL-E
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
2.5V @ 1mA
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
LFPAK
연속:
-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
12 mOhm @ 15A, 10V
전력 소비 (최대):
23W (Tc)
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
SC-100, SOT-669
작동 온도:
150°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
3600pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
25nC @ 4.5V
FET 유형:
N-Channel
FET 특징:
-
소스 전압에 드레인 (Vdss):
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
30A (Ta)

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In Stock 7500 pcs
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