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STMicroelectronics - STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG
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제조사
STMicroelectronics
기술
MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
가능 수량
6,753에서 주식
데이터 시트:
STH410N4F7-6AG.pdf
제품 사진
STH410N4F7-6AG
범주
이산 반도체 제품
아이디 @ VGS (일) (최대):
4.5V @ 250µA
Vgs (최대):
±20V
과학 기술:
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:
H2PAK-6
연속:
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):
1.1 mOhm @ 90A, 10V
전력 소비 (최대):
365W (Tc)
포장:
Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
작동 온도:
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:
11500pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:
141nC @ 10V
FET 유형:
N-Channel
FET 특징:
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):
10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):
200A (Tc)

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In Stock 6753 pcs
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