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Infineon Technologies - IRFB3407ZPBF

IRFB3407ZPBF
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Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
Quantidade Disponível
Em 6,244 da
Ficha de dados:
IRFB3407ZPBF.pdf
Fotos produtos
IRFB3407ZPBF
Categoria
Discrete Semiconductor Products
VGS (th) (Max) @ Id:
4V @ 150µA
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:
TO-220AB
Série:
HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:
6.4 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):
230W (Tc)
Embalagem:
Tube
Caixa / Gabinete:
TO-220-3
Temperatura de operação:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:
Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4750pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:
110nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica FET:
-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):
75V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:
120A (Tc)

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