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NVE Corporation - PSMN3R7-30YLC,115

PSMN3R7-30YLC,115
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Fabricante
NVE Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Quantidade Disponível
Em 5,000 da
Ficha de dados:
PSMN3R7-30YLC,115.pdf
Fotos produtos
PSMN3R7-30YLC,115
Categoria
Discrete Semiconductor Products
VGS (th) (Max) @ Id:
1.95V @ 1mA
Vgs (Max):
±20V
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:
LFPAK56, Power-SO8
Série:
-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:
3.95 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):
79W (Tc)
Embalagem:
Original-Reel®
Caixa / Gabinete:
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Outros nomes:
568-6735-6
Temperatura de operação:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:
Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1848pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:
29nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica FET:
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):
4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):
30V
Descrição detalhada:
N-Channel 30V 100A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:
100A (Tc)

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In Stock 5000 pcs
Quantidade:
Target price
Total:$0.00

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