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Nexperia - PSMN3R5-80ES,127

PSMN3R5-80ES,127
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Fabricante
Nexperia
Descrição
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Quantidade Disponível
Em 10,000 da
Ficha de dados:
PSMN3R5-80ES,127.pdf
Fotos produtos
PSMN3R5-80ES,127
Categoria
Discrete Semiconductor Products
VGS (th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:
I2PAK
Série:
-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:
3.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):
338W (Tc)
Embalagem:
Tube
Caixa / Gabinete:
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:
Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
9800pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:
139nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica FET:
-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):
80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:
120A (Tc)

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