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Renesas Electronics America - HAT2287WP-EL-E

HAT2287WP-EL-E
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Fabricante
Renesas Electronics America
Descrição
MOSFET N-CH WPAK
Quantidade Disponível
Em 7,500 da
Ficha de dados:
HAT2287WP-EL-E.pdf
Fotos produtos
HAT2287WP-EL-E
Categoria
Discrete Semiconductor Products
VGS (th) (Max) @ Id:
-
Tecnologia:
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:
8-WPAK
Série:
-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:
94 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):
30W (Tc)
Embalagem:
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:
8-PowerWDFN
Temperatura de operação:
150°C (TJ)
Tipo de montagem:
Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:
26nC @ 10V
Tipo FET:
N-Channel
Característica FET:
-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:
17A (Ta)

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In Stock 7500 pcs
Preço de Referência (em dólares americanos)
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