Vishay / Siliconix - SIHG22N60AE-GE3

Buy confidence from Electronics-Stock.comSIHG22N60AE-GE3 is warrantied and traceable.

Proizvajalec

Vishay / Siliconix

Opis

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Količina na voljo

7,394 kos Na zalogi

Podatkovni list:

SIHG22N60AE-GE3.pdf

Fotografije izdelkov

SIHG22N60AE-GE3

Kategorija

Diskretnih polprevodniških proizvodov

Vgs (th) (maks) @ Id:

4V @ 250µA

Vgs (Max):

±30V

tehnologija:

MOSFET (Metal Oxide)

Dobavitelj Paket naprave:

TO-247AC

serija:

E

RDS (max) @ Id, Vgs:

180 mOhm @ 11A, 10V

Izgube moči (Max):

179W (Tc)

Paket / Case:

TO-247-3

delovna temperatura:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaža Vrsta:

Through Hole

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (max) @ Vds:

1451pF @ 100V

Vrata Plačilo (QG) (max) @ Vgs:

96nC @ 10V

FET Vrsta:

N-Channel

FET Feature:

-

Pogon Napetost (Max RDS, Min RDS):

10V

Odtočna na napetostni vir (Vdss):

600V

Trenutni - Stalno lijaka (Id) @ 25 ° C:

20A (Tc)